Транзистор FQP 50N06 для Helix DB Four
 

Потрібен транзистор FQP 50N06 для Helix DB Four.
Знайшов його даташит там вказано
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on): 0.022Ом
В оголошеннях про продаж знаходжу по такому маркуванню такі х-ки
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on): 0.031Ом
Чи є між ними суттєва різниця? Не виключаю варіант, що в описі може бути вказане те, що треба, а по факту виявиться інше.

Re: Транзистор FQP 50N06 для Helix DB Four
 

не парься, главное амперы, ставь аналог IRFZ48N, можно 55N06, 60N06

Re: Транзистор FQP 50N06 для Helix DB Four
 

IRFZ48NPBF
Технические характеристики
Производитель International Rectifier (IR)
Корпус TO220
Структура N
Схема соединения Одиночный
V(BR)DSS - напряжение пробоя сток-исток 55 V
Vgs - напряжение затвор-исток ±20 V
Id25 - постоянный ток стока при 25°C 64 А
Id75(100) - постоянный ток стока при 75(100)°C 45 А
Rds(on)25 - сопротивление сток-исток при 25°C,Vgs=10V 14 мОм
VGS(th) - пороговое напряжение затвор-исток (диапазон) 2 ... 4 V
Мощность рассеяния при 25°C 130 Вт
Вес изделия 6.00 г

FQP50N06
Производитель FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP. (FAIRCHILD)
Корпус TO220
Структура N
Схема соединения Одиночный
V(BR)DSS - напряжение пробоя сток-исток 60 V
Vgs - напряжение затвор-исток ±25 V
Id25 - постоянный ток стока при 25°C 50 А
Id75(100) - постоянный ток стока при 75(100)°C 35.4 А
Rds(on)25 - сопротивление сток-исток при 25°C,Vgs=10V 18 мОм
VGS(th) - пороговое напряжение затвор-исток (диапазон) 2 ... 4 V
Мощность рассеяния при 25°C 120 Вт

Ось таку інформацію знайшов. Просто далекий від того, тому уточню ще раз чи це нормально, якщо головне ампери?

Re: Транзистор FQP 50N06 для Helix DB Four
 

есть 1шт с маркировкой FP50N06, найду и IRFZ48

Re: Транзистор FQP 50N06 для Helix DB Four
 

Дякую за інформацію та за те, що потратили час на пошуки, але спробую знайти у своєму місті:aiwan-hi: